お問い合わせ長年ご愛顧頂いているφ75~300mm対応の等方性エッチング装置です。SiやSiO2のラウンドエッチングでの豊富な実績に加え、近年はリモートプラズマによる特性を活かしデバイス特性改善にも使用されています。プラズマダメージフリー技術で高品質なデバイス作りに貢献致します。
特長
- ・等方性エッチング
チャンバー外でプラズマを生成し、ラジカルのみでエッチング処理を行うため、完全な等方性エッチングが可能です。トレンチパターン開口部のラウンド処理等に採用されています。
- ・プラズマダメージフリー
プラズマからウェーハまでの距離が長いため、プラズマ中で生成したイオンは失活しウェーハに影響しません。RIE処理後のダメージ層除去に採用されています。
ウェーハ処理中の様子ウェーハ表面がケミカルルミネッセンスで発光している
プラズマ発光の様子独自のリモートプラズマ源
