ウェーハレベルパッケージボンダ
TFC-9000

Fan Out Wafer Level Package(FO-WLP)プロセス対応

FO-WLPプロセスに適合した高生産性ボンダです。
スマートフォンを代表としたモバイル機器では、小型化、省電力化が追及されており、FO-WLPへの注目が高まっております。
また、パッケージの小型化に加えて高集積化が進む中で、増加する入出力端子をチップ表面へ配置することが難しくなりつつあります。このためFan In(FI)からFan Out(FO)構造を採用するパッケージが増えております。
当社は、FO-WLP分野において10年以上の販売、生産実績があり、大手IDM、Foundry、OSATへ多数の導入実績による高い技術力と豊富な経験を有しております。
TFC-9000では、FO-WLP向けに最適化された設計から「省スペース」、「高生産性」によりお客様の生産に貢献します。

エッチング・洗浄・チップ搭載。
お悩み別に製品をご紹介!

特長

高生産と省スぺースの両立

ダブルヘッド構成の採用、省スペース(本体Footprint:約2.5m2)により、最小の占有面積で最大の生産性を実現します。

Face Up / Face Down 両プロセスに対応

主要プロセスとなる「チップ-1st」と「チップ-Last(RDL-1st)」に適合。
Face Up DAF / Adhesive Sheetに対応、Face Down C4プロセスにも対応可能。
各種プロセスに対応することで、装置の稼働効率改善に寄与します。

Chip on Wafer / Chip on Substrate対応

φ200 / 300mmウェーハのほか、最大330×320mm基板の構成も選択可能です。

装置説明

主な用途 FO-WLP製品
精度 Face Down ±5μm (3σ) *Local認識/R.T条件
Dry UPH 7,200 (Global) / 5,100 (Local)
チップサイズ Max.□26mm
基板サイズ φ200 / 300mmウェーハ
Max.330×320mm基板

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