お問い合わせHDIS ( High-dose implant strip ) に対応した200㎜/ 300㎜用のアッシング装置です。ソース/バイアスの放電システムにより高速アッシングを実現しました。また冷却機構を備えた静電チャックによりウェーハ温度を低温に保つことが可能で、ポッピング対策や保護材付き極薄ウェーハのアッシングにも対応可能です。薄ウェーハのアッシングプロセスにおける問題を解決し生産性に貢献します。
特長
- ・高速/低温アッシング
アッシングレート1.5μm/min以上で、ウェーハ温度100℃以下を実現。レジスト残渣とポッピング対策を両立しました。
- ・高濃度HDI対応
1015[atm/cm2]のHDIウェーハを残渣なくアッシング可能です。
- ・薄ウェーハ対応
冷却機構による低温処理により、保護材付薄ウェーハの処理が可能です。
ウェーハ処理中の様子チャンバー全体がプラズマ放電により発光
上部プラズマ電極独自のプラズマ電極構造を採用
