イオンケミカルエッチング装置Ion Chemical Etching Equipment

イオンケミカル
エッチング装置

イオンケミカルエッチング装置

ウェーハ上の薄膜やレジストをエッチング/アッシングする装置です。

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特長

  • 高密度・低エネルギープラズマによる高速・低チャージングダメージエッチング
    低圧力対応プラズマ源
  • 160枚/hrの高生産性 ダブルプロセスチャンバー
  • 多機能(シリーズ/パラレルエッチング)
  • 300mmウェーハ対応(オプション)

装置仕様

適用 Low-k レジスト
有機ポリマー Low-k レジスト
ハイドーズ インプラ レジスト
ビア ホール レジスト
ウェーハサイズ 300mm(200mm)
処理方法 ICP + RFバイアス
プロセスチャンバー 2チャンバー
電源 ソース: RF 13.56MHz 5kW
バイアス:RF 13.56MHz 1kW
搬送系 自社製 真空搬送ロボット
基板調節制御 5~70℃
圧力制御 自動圧力制御(APC) ×2
真空ポンプ ターボ分子ポンプ ×2
ドライポンプ ×3

プロセス仕様

プロセスガス O2 ,N2 ,CF4 ,H2 ,NH3
エッチングレート レジスト 2.5μm/min(25℃)
均一性 ≦±5%
メタルコンタミ ≦5×1010 Atoms/cm2
パーティクル 20個以下(≧0.2μm)
スループット ≦160枚/h
タクトタイム ≦20秒/枚

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