ケミカルドライエッチング装置Chemical Dry Etching Equipment

ケミカルドライ
エッチング装置

ケミカルドライエッチング装置

半導体ウェーハ上につけた各種薄膜を気相中(ドライ)で化学的(ケミカル)に削る(エッチング)装置です。処理(エッチング)部とプラズマ発生部が完全に分離したダメージフリーエッチングのため、基盤加工後のダメージ層除去処理等に使用されます。

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特長

  • マイクロ波を利用した等方性ケミカルドライエッチング
  • プラズマダメージフリーエッチング
  • ウェーハチャックシステムとステージ温調によるウェーハ温度コントロール
  • 3~8インチウェーハ対応
  • ダブルフィンガー型ロボット搬送採用

装置仕様

エッチング方式 マイクロ波を利用したケミカルドライエッチング
エッチング材料 Poly-Si, Si3N4BPSG, W, Mo, Ta etc
ウェーハサイズ φ8"(オプションφ6", φ5", φ3")
エッチングチャンバー 枚葉式
排気ポンプ ドライポンプ
圧力制御 コンダクタンスバルブ制御
エッチングガス CF4 ,O2 ,N2 etc
プラズマ電源 マイクロ波 2. 45GHz 1. 0kw

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