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半導体用スパッタリング装置
パワーデバイスなどの裏面電極形成やUBM、多層膜形成に最適な装置です。
ウェーハサイズ:200(mm)
薄ウェーハ対応:t100(μm)程度
プロセスチャンバ数:最大5チャンバ(10GUN)
ウェーハ温度コントロール(ESC)
省スペース:W2800×D3600×H2500(mm)
加熱、逆スパッタ対応
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