半導体ウェーハプロセスにおいて、ウェーハ上に回路を作るマスクとして使用するフォトレジストを剥離する装置です。
- ケミカルドライエッチング技術を応用した低ダメージ、高生産性アッシング
- 高効率プラズマ
- ダブルプロセスチャンバー
- 高速搬入システム
- チャンバー内シンプルクリーン機構
| 適用 | 汎用レジスト |
|---|---|
| ウェーハサイズ | 8in（6in） |
| 処理方法 | ダウンフロー型 |
| アッシングチャンバー | 2チャンバー |
| 電源 | マイクロ波 2.45GHz 1kW×2 3kW×2 （オプション） |
| 搬送系 | 自社製 真空搬送ロボット |
| 基板温度制御 | 250℃ |
| 圧力制御 | APC |
| 真空ポンプ | ドライポンプ（2式） |
| プロセスガス | O2 ,CF4（オプション：最大3系統） |
|---|---|
| アッシングレート | 4.5〜8μm/min |
| 均一性 | ±5% |
| メタルコンタミ | <10-11 Atoms/cm2 |
| パーティクル | <20pcs（>0.2μm） |
| スループット | 160 枚/h |
