
ポーラスLow−k膜上のレジストをアッシングする装置です。
| 適用 | ポーラス Low-k レジスト |
|---|---|
| ウェーハサイズ | 300mm(200mm) |
| 処理方法 | ダウンフロー型 |
| プロセスチャンバー | 2 チャンバー |
| 電源 | マイクロ波 2.45GHz |
| 搬送系 | 真空搬送(2チャンバーシリーズ搬送) |
| 基板調節制御 | 250〜370℃ |
| 圧力制御 | 自動圧力制御(APC) ×2 |
| 真空ポンプ | ドライポンプ ×3 |
| エッチングレート | レジスト 1.2μm/min |
|---|---|
| 均一性 | ≦±7% |
| 凾 | ≦0.1 |
| メタルコンタミ | ≦1 × 10-10 Atoms/cm2 |
| パーティクル | 10個以下(≧0.16μm) |
| スループット | ≦160枚/h |