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芝浦メカトロニクス株式会社
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リモートプラズマアッシング装置

リモートプラズマアッシング装置 RPA300

ポーラスLow−k膜上のレジストをアッシングする装置です。

特長

  • リモートプラズマ方式による低ダメージアッシング
  • 160枚/hrの高生産性
  • ダブルプロセスチャンバー
  • ICE・CDE・μASHプロセスチャンバーとの組み合わせ
  • 多機能(シリーズ/パラレルエッチング)
  • 300mmウェーハ対応
装置仕様
適用 ポーラス Low-k レジスト
ウェーハサイズ 300mm(200mm)
処理方法 ダウンフロー型
プロセスチャンバー 2 チャンバー
電源 マイクロ波 2.45GHz
搬送系 真空搬送(2チャンバーシリーズ搬送)
基板調節制御 250〜370℃
圧力制御 自動圧力制御(APC) ×2
真空ポンプ ドライポンプ ×3

プロセス仕様
エッチングレート レジスト 1.2μm/min
均一性 ≦±7%
≦0.1
メタルコンタミ ≦1 × 10-10 Atoms/cm2
パーティクル 10個以下(≧0.16μm)
スループット ≦160枚/h

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